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C-43型 9英寸 高精度國產光刻機 多點光源曝光頭是一款專用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件以及聲表面波器件的研制和生產的優(yōu)良設備。其出色之處在于其高度優(yōu)良的找平機構，可以實現(xiàn)對多種材料的高精度曝光，包括硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片和寶石片等

C-43型多點光源曝光頭高精度國產光刻機主要用途是在中小規(guī)模集成電路、半導體元器件和聲表面波器件的研制和生產中使用。C-43的出色之處在于其先進的找平機構，這使得它適用于對不同類型的材料進行曝光，包括硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片和寶石片等。

C-33型 國產雙面光刻機 精密光刻設備被廣泛應用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、以及聲表面波器件的研制和生產。它的高級找平機構使其適用于各種材料的曝光，包括硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片等。雙面對準單面曝光：這臺機器具備雙面對準單面曝光功能，可以在一個工藝中對準并曝光兩側，提高了生產效率。普通光刻機工作：除了雙面對準單面曝光，它還可以執(zhí)行普通光刻機的各種工作任務。

C-33型 4英寸 國產高精度對準光刻機主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產。由于本機找平機構先進，找平力小、使本機適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片等的曝光。這是一臺雙面對準單面曝光的光刻機；這臺機器又能完成普通光刻機的任何工作；同時又是一臺檢查雙面對準精度的檢查儀。

C-31型 雙面國產光刻機主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產。由于本機找平機構先進，找平力小、使本機適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片等的曝光。有三種版夾盤供選擇，能真空吸附5“×5“或4“×4“方形掩版（2.5“×2.5“），版的厚度無特殊要求1.5~3mm皆可。分別用于φ4、φ3、φ2基片的曝光。基片厚度0.1~1mm都可以。

C-25XB型 4英寸/6英寸 高精度對準光刻機本機針對各大專院校、企業(yè)及科研單位。對光刻機使用特性研發(fā)的一種高精度的光刻機，三層減震，組合式，拆卸方便。 它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產，適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如:砷化鉀、磷化銦的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

C-25X型4英寸/6英寸單面光刻機精密光刻設備針對各大專院校、企業(yè)及科研單位。對光刻機使用特性研發(fā)的一種高精度的光刻機，三層減震，組合式，拆卸方便。 它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產，適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如:砷化鉀、磷化銦的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

C-25XA型 4英寸/6英寸 高精度對準光刻機針對各大專院校、企業(yè)及科研單位。對光刻機使用特性研發(fā)的一種高精度的光刻機，三層減震，組合式，拆卸方便。 它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產，適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如:砷化鉀、磷化銦的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。